什么是金属氧化物半导体技术

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晶丰明源获得发明专利授权:“横向扩散金属氧化物半导体器件及其...证券之星消息,根据天眼查APP数据显示晶丰明源(688368)新获得一项发明专利授权,专利名为“横向扩散金属氧化物半导体器件及其加工方法”,专利申请号为CN202210426847.0,授权日为2025年7月11日。专利摘要:该发明涉及一种横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件及其加工方...

中国石化获得发明专利授权:“钯基复合金属氧化物半导体材料及其...证券之星消息,根据天眼查APP数据显示中国石化(600028)新获得一项发明专利授权,专利名为“钯基复合金属氧化物半导体材料及其制备方法、氢气传感器”,专利申请号为CN202411829640.3,授权日为2025年10月21日。专利摘要:本发明提供一种钯基复合金属氧化物半导体材料及其制...

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兆驰股份:已对Micro LED光互连技术进行前瞻性布局证券之星消息,兆驰股份(002429)11月17日在投资者关系平台上答复投资者关心的问题。投资者:Hyperlume在今年利用Micro LED技术彻底革新AI基础架构,其关键优势是互补金属氧化物半导体(CMOS) 相容技术,该技术允许将其光学引擎整合到系统封装中,类似于整合特殊应用晶片(ASIC...

这一芯片研制成功!-78.5℃和180℃环境下稳定运行研发出一款基于互补金属氧化物半导体工艺的模拟存算一体芯片。相关成果近日刊发于国际学术期刊《科学进展》。 结合权值重映射技术,该芯片在并行向量矩阵乘法运算中实现了仅0.101%的均方根误差,创下了模拟向量-矩阵乘法运算精度的最高纪录。 论文共同通讯作者、南京大学教...

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对垒索尼 LYTIA:三星注册 DeepPix 手机图像传感器商标IT之家 12 月 4 日消息,科技媒体 Wccftech 昨日(12 月 3 日)发布博文,报道称三星在美国、欧盟及阿根廷等地提交申请“DeepPix”,该商标被明确定义为 CMOS 图像传感器,暗示该名称将取代三星自 2013 年以来一直使用的 ISOCELL 技术。IT之家注:CMOS(互补金属氧化物半导体)图像传...

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原材料价格走高叠加下游需求旺盛 多家功率半导体龙头企业宣布涨价南方财经2月28日电,据证券日报,功率半导体行业正迎来新一轮涨价潮。日前,国产功率半导体企业新洁能发布价格调整通知,宣布对MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)产品涨价10%起,自3月1日起发货生效。而在此前,已有英飞凌科技公司、士兰微、江苏宏微科技股份有限公司等...

氧空位构筑与表征全解析:方法学、谱学技术与原子成像应用PART.01、什么是氧空位 氧空位,顾名思义,指的是在金属氧化物中,晶格氧原子脱离形成的氧缺失位点。作为一种典型的阴离子缺陷,氧空位具有易构筑、可调控、能显著改善金属氧化物半导体材料的光催化性能等优点,近十年来受到研究者的广泛关注。 按照所处空间位置的差异,可将氧...

˙▽˙ 优优绿能获得外观设计专利授权:“保护壳”证券之星消息,根据天眼查APP数据显示优优绿能(301590)新获得一项外观设计专利授权,专利名为“保护壳”,专利申请号为CN202530493424.5,授权日为2026年4月28日。专利摘要:1.本外观设计产品的名称:保护壳。2.本外观设计产品的用途:用于金属氧化物半导体场效应晶体管的散热...

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⊙﹏⊙‖∣° 激光雷达,摸着摄像头的石头过河互补金属氧化物半导体)传感器迈过了产业化的门槛。此后,豪威科技实现单芯片量产,佳能推出首款CMOS专业相机,而索尼则凭借背照式与堆栈式技术,彻底改写了图像传感器的性能边界。再后来,iPhone 4首次搭载背照式CMOS,引爆了手机影像革命。CMOS一路攻城拔寨,市场规模迅速扩...

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╯△╰ 氧空位:构筑、表征及相关研究进展PART.01、什么是氧空位 氧空位,从名称含义来讲,是指在金属氧化物中,晶格氧原子脱离后形成的氧缺失位点。作为典型的阴离子缺陷,氧空位具备易构筑、可调控的特性,并且能显著提升金属氧化物半导体材料的光催化性能,近十年受到研究者的广泛关注。 依据所处空间位置的不同,氧空...