IGBT芯片结构详解_IGBT芯片结构详解

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igbt芯片内部结构讲解

格力电器获得发明专利授权:“IGBT芯片及其制造方法、制造IGBT芯片...制造IGBT芯片时使用的掩膜版”,专利申请号为CN202010064134.5,授权日为2025年8月1日。专利摘要:本发明涉及一种IGBT芯片及其制造方法、制造IGBT芯片时使用的掩膜版。IGBT芯片包括元胞,元胞包括集电区、漂移区、阱基区、发射区、集电极结构和发射极结构。阱基区和发射...

igbt的芯片

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igbt芯片的作用和特点

...获得发明专利授权:“一种低应力高导热的IGBT功率模块封装结构”专利名为“一种低应力高导热的IGBT功率模块封装结构”,专利申请号为CN202111501398.3,授权日为2025年7月18日。专利摘要:一种低应力高导热的IGBT功率模块封装结构。包括自下而上依次键合的基板、绝缘衬底基板和芯片;所述绝缘衬底基板包括自上而下依次键合的上金属层、...

igbt芯片工艺流程

igbt芯片难度极大

宏微科技:一季度营收同比增20.7% 净利润扭亏为盈宏微科技4月27日披露2025年一季报显示,一季度公司实现营业收入2.97亿元,同比增长20.7%;归属于上市公司股东的净利润108.37万元,同比扭亏为盈。2024年,半导体行业呈现结构性复苏,宏微科技提前布局,以研发创新为核心驱动力,完成光伏用IGBT&FRD芯片、车规级IGBT&FRD芯片开...

igbt芯片工艺nm

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