eeprom擦除器怎么用

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∩▂∩ 帝奥微申请EEPROM单元专利,能实现隧穿电容的擦写次数提升至现有...江苏帝奥微电子股份有限公司申请一项名为“一种EEPROM单元、晶体结构及制备工艺“,公开号CN202410471483.7,申请日期为2024年4月。专利摘要显示,本发明公开了一种EEPROM单元、晶体结构及制备工艺,包含浮栅控制电容、浮栅擦除隧穿电容、浮栅写入隧穿电容、浮栅MO...

复旦微电:公司存储产品线尚无HBM产品金融界6月14日消息,有投资者在互动平台向复旦微电提问:董秘你好,贵公司有没有HBM等高附加值DRAM芯片的技术储备。公司回答表示:公司存储产品线产品线拥有电可擦除只读存储器(EEPROM)、NOR 型闪存存储器(NOR Flash)和 SLC NAND 型闪存存储器(NAND Flash)等存储器产...

?﹏? 广电计量:具备专业设备和测试团队进行存储器测试,暂未开展相关业务金融界3月27日消息,有投资者在互动平台向广电计量提问:你好董秘请问公司有没采用算法图形和APG技术实现存储器地址自动累加、翻页功能,实现存储器数据的自动写入、输出比较,实现了对EEPROM、SRAM、NOR fl ash、NAND fl ash、EMMC等存储芯片读写擦除功能的自动测试...

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