芯片的内部结构放大图_芯片的内部结构放大图

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粤芯半导体取得一种芯片内部结构的失效位置确定方法专利金融界2024年11月21日消息,国家知识产权局信息显示,粤芯半导体技术股份有限公司取得一项名为“一种芯片内部结构的失效位置确定方法”的专利,授权公告号 CN 117007622 B,申请日期为 2023年10月。

╯ω╰ 敏芯股份取得一种 MEMS 芯片封装结构专利,不占用有效芯片的内部区域第一金属体与第二金属体投影交叠,凸块与第三金属体投影交叠;器件结构的第一表面与衬底基板通过第一金属体和第二金属体相键合,凸块与第三金属体抵接。本实用新型提供的 MEMS 芯片封装结构不占用有效芯片的内部区域,还能通过对反应量的控制有效防止合金溢流,保证键合成品率...

...低噪声放大器芯片封装结构专利,有效提高封装结构对芯片的散热效果本实用新型公开了一种低噪声放大器芯片的封装结构,包括用于焊接固定低噪声放大器芯片的基板以及散热盖板,散热盖板与基板之间设有具有缓冲作用的连接件,连接件用于将散热盖板与基板连接并将低噪声放大器芯片封装于内部,低噪声放大器芯片与散热盖板之间设有用于将低噪声放...

...取得集成电路芯片封装结构专利,方便对芯片封装结构内部晶圆进行回收设置有基板。本实用新型通过定位固定杆、长卡板、短卡板之间的配合,使封装上壳体与封装下壳体合并后,可在保证密封性的同时利用热熔延伸至封装上壳体顶部的部分定位固定杆并压实,从而方便后期二次拆卸封装上壳体与封装下壳体,从而方便对芯片封装结构内部晶圆进行回收。

韦尔股份取得MOSFET集成二极管监控芯片结温结构专利,实现通过...专利摘要显示,本申请实施例提供了一种MOSFET集成二极管监控芯片结温结构,包括:MOSFET和二极管;所述二极管与所述MOSFET并联设置,所述二极管通过第一金属层引出阳极,所述MOSFET通过第二金属层引出源极;通过监控所述二极管正向电压变化,探测MOSFET内部结温。本文源...

芯朋微:调整募集资金投资项目内部投资结构钛媒体App 5月30日消息,芯朋微公告,公司于2025年5月30日召开董事会和监事会,审议通过了调整募集资金投资项目内部投资结构的议案。调整涉及的项目包括“新能源汽车高压电源及电驱功率芯片研发及产业化项目”、“工业级数字电源管理芯片及配套功率芯片研发及产业化项目”...

深圳市宇隆宏天科技取得用于多芯片的多级冷却散热结构专利,防止...本实用新型公开一种用于多芯片的多级冷却散热结构,包括有一冷板、至少两个基板、多个导热柱、至少两个框架、多个螺栓和至少两个垫圈;通过在冷板的内部设置第一流道和第二流道,配合在每一基板的内部设置第三流道,基板入水口与对应的第一冷板出水口连通,基板出水口与对应的...

意渊取得带有湿气吸附结构的电路芯片专利,便于对不同宽度电路芯片...江苏意渊工业大数据平台有限公司取得一项名为“一种带有湿气吸附结构的电路芯片包装运输结构”的专利,授权公告号CN 222062711 U,申请日期为2024年3月。专利摘要显示,本实用新型公开了一种带有湿气吸附结构的电路芯片包装运输结构,包括包装运输箱,所述包装运输箱内部的底...

中芯国际申请检测结构及检测方法专利,能够快速有效的判断芯片的...有限公司申请一项名为“检测结构及检测方法”的专利,公开号 CN 119028951 A,申请日期为2023年5月。专利摘要显示,一种检测结构及检测方法,检测结构包括:检测结构呈未全封闭状且设置在芯片内部并环绕芯片的功能器件区,检测结构包括首端和末端,检测结构的首端用于作为第一电...

新华三半导体申请埋入式芯粒堆叠的封装结构、芯片封装方法专利,...芯片封装方法”的专利,公开号CN 119050079 A,申请日期为2024年8月。专利摘要显示,本申请实施例提供了一种埋入式芯粒堆叠的封装结构、芯片封装方法,封装结构包括:晶圆载板、N个第一芯粒单元、M个第二芯粒单元;N和M均为大于或等于1的整数;晶圆载板内部蚀刻有N个腔体;N个...

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