什么是芯片结温_什么是芯片结温

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比亚迪获得发明专利授权:“IGBT模块结温预测方法、系统、终端设备...专利名为“IGBT模块结温预测方法、系统、终端设备及存储介质”,专利申请号为CN202210710597.3,授权日为2026年6月9日。专利摘要:本申请公开了一种IGBT模块结温预测方法、系统、终端设备及存储介质,该方法包括:基于整车工况参数确定流经IGBT模块中芯片的电流Ic;构建IGBT...

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【机构调研记录】中信建投基金调研本川智能通过将芯片与基板一体化封装,降低寄生电感90%以上,结温降低15-20度,支持200度高温运行,功率循环次数超10万次。体积缩小30%-50%,功率密度提升2-3倍,预计成本降低20%-30%。应用于服务器电源、新能源汽车、储能光伏、机器人等领域。2025年营收同比增长46.94%,2026年Q1...

罗姆完成第 5 代 SiC MOSFET 开发,高温导通电阻降低约 30%新产品通过器件结构改进和制造工艺优化在 175℃ 结温 (Tj) 下导通电阻降低约 30%。罗姆表示,在各类电动汽车 (xEV) 用牵引逆变器等需要在高温环境下使用的应用中,其第 5 代 SiC MOSFET 有助于缩小单元体积,提高输出功率。此外芯片也非常适用于 AI 服务器电源和数据中心等工业...

【投融资动态】仲德科技A+轮融资,融资额数千万人民币,投资方为创维...是一家专注于高结构强度均温板(HSS VC)研发,为客户提供从芯片封装级到系统级热管理解决方案的公司。公司现有两大产品系列,一是芯片先进封装用均温盖板(VC Lid),二是芯片散热模组用HSS VC。数据来源:天眼查APP以上内容为证券之星据公开信息整理,由AI算法生成(网信算备31...

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