您当前的位置:首页 > 博客教程

什么是晶圆外延_什么是晶圆外延

时间:2026-08-03 15:34 阅读数:3758人阅读

*** 次数:1999998 已用完,请联系开发者***

什么是晶圆外延

镓仁半导体:晶圆级厚膜外延片器件验证性能超越进口产品IT之家 7 月 24 日消息,杭州镓仁半导体有限公司(以下简称“镓仁半导体”)今日宣布,该公司生产的氧化镓同质厚膜外延片,在西安电子科技大学顺利完成无终端结构的 SBD 器件制备与性能验证。本次验证所用的厚膜外延片,外延层厚度 10 μm、载流子浓度 1×10¹⁶ cm⁻³。验证结果...

d493c86c0e8748679db93aa476934aa7.jpeg

∩^∩ 西安奕材获得发明专利授权:“改善外延晶圆品质的方法、装置,及外延...证券之星消息,根据天眼查APP数据显示西安奕材(688783)新获得一项发明专利授权,专利名为“改善外延晶圆品质的方法、装置,及外延晶圆和其制造方法”,专利申请号为CN202411626173.4,授权日为2025年10月10日。专利摘要:本公开提供了一种改善外延晶圆品质的方法、装置,及外...

e4bc-ec9d84e0f0ebe881661d54ea32bfddd3.png

...专利申请:“用于外延生长设备的支撑结构、外延生长设备及外延晶圆”证券之星消息,根据企查查数据显示西安奕材(688783)公布了一项国际专利申请,专利名为“用于外延生长设备的支撑结构、外延生长设备及外延晶圆”,专利申请号为PCT/CN2024/139537,国际公布日为2026年1月22日。专利详情如下:图片来源:世界知识产权组织(WIPO)今年以来西安奕...

9224b60dca9d4fab8807d240a1fc3396.png

∪﹏∪ ...专利申请:“用于硅片的外延生长的基座、装置及方法、外延硅晶圆”证券之星消息,根据企查查数据显示C奕材(688783)公布了一项国际专利申请,专利名为“用于硅片的外延生长的基座、装置及方法、外延硅晶圆”,专利申请号为PCT/CN2024/139550,国际公布日为2025年10月30日。专利详情如下:图片来源:世界知识产权组织(WIPO)今年以来C奕材已公...

?url=http%3A%2F%2Fdingyue.ws.126.net%2F2024%2F0708%2F7f13f93dj00sgaepv003dd000xc00m6m.jpg&thumbnail=660x2147483647&quality=80&type=jpg

...电子特气产品主要应用于先进晶圆加工、存储芯片制造、硅外延片制造或将冲击全球半导体供应链,公司能在此刻争取到更大的市场份额吗?”针对上述提问,三孚股份回应称:“尊敬的投资者您好,公司电子特气产品为电子级二氯二氢硅、电子级三氯氢硅、电子级四氯化硅,下游主要应用于先进晶圆加工,存储芯片制造,硅外延片制造,是半导体行业的重要辅助材...

+△+ 3f9142e2ca884e7b8d6c1144eb8deef9.jpeg

...在MicroLED领域已具备成熟的芯片设计、外延生长及晶圆制造能力公司作为全球领先的 Mini/Micro LED 芯片供应商,始终关注前沿技术发展,并持续投入研发资源以保持技术领先性。在 MicroLED 领域,公司已具备成熟的芯片设计、外延生长及晶圆制造能力,并积极与产业链上下游合作伙伴协同推进技术创新应用,光互连技术也是MicroLED的潜在应用方向...

1000

...一代半导体晶圆、发光二极管(LED)外延及半导体衬底片等基础元器件南方财经5月20日电,云南省人民政府办公厅近日印发《加强数字信息大通道建设 推动数字产业高质量发展实施方案》。其中提出,推动电子材料延伸下游产业链。发挥硅、锗、铟等产业优势,发展新一代半导体晶圆、发光二极管(LED)外延及半导体衬底片等基础元器件,以及氧化铟锡(ITO...

(`▽′) 1571704534856465.jpg

扬杰科技:主营产品包括材料板块、晶圆板块及封装器件板块有投资者在互动平台向扬杰科技提问:“公司产品到底是元器件还是芯片?有没有芯片。”针对上述提问,扬杰科技回应称:“您好,公司主营产品包括材料板块(单晶硅棒、硅片、外延片)、晶圆板块(5 吋、6 吋、8 吋硅基及 6 吋碳化硅等各类电力电子器件芯片)及封装器件板块(MOSFET、IG...

806774394ad247fb9a0f97d91a542a0f.png

晶合集成获得发明专利授权:“晶圆的刻蚀方法”专利名为“晶圆的刻蚀方法”,专利申请号为CN202511505955.7,授权日为2026年2月27日。专利摘要:本申请涉及一种晶圆的刻蚀方法,包括:提供晶圆,所述晶圆包括衬底、依次层叠形成于所述衬底一侧的外延层、第一氧化层、第一硬掩膜层,及贯穿所述第一氧化层和所述第一硬掩膜层并...

235e1a33j00s751fr01sbd001hc00u0m.jpg

新能源+通信双驱动,氮化镓全产业链国产化迎来黄金期作为第三代半导体产业升级的核心引擎,氮化镓产业持续受益于新能源变革、新一代通信迭代与半导体自主可控战略的全方位赋能,其效能已从基础材料制备延伸至器件性能重构与下游消费、工业场景的全面革新。当前,行业版图内衬底外延、器件设计、晶圆制造、封装测试及核心设备等...

1000

飞飞加速器部分文章、数据、图片来自互联网,一切版权均归源网站或源作者所有。

如果侵犯了你的权益请来信告知删除。邮箱:xxxxxxx@qq.com