igbt是什么器件_igbt是什么器件

*** 次数：1999998 已用完，请联系开发者***

高新发展:IGBT器件覆盖600-1700V应用领域近期在高科技领域有什么计划?公司高功率芯片什么时候可以量产供应?高新发展董秘:您好,感谢您对公司的关注。公司坚持聚焦推进科技型企业转型战略,下属子公司IGBT器件系列产品覆盖600-1700V以及低、中、高频应用领域。公司具体经营情况请参见公司已披露的定期报告“管理...

?ω?

东微半导获得发明专利授权:“IGBT器件的制造方法”证券之星消息,根据天眼查APP数据显示东微半导(688261)新获得一项发明专利授权,专利名为“IGBT器件的制造方法”,专利申请号为CN202411371352.8,授权日为2025年10月17日。专利摘要:本发明属于IGBT器件技术领域,具体公开了一种IGBT器件的制造方法,包括:在n型半导体层内形...

≥＾≤ 台基股份:控股子公司浦峦半导体从事IGBT芯片设计等业务证券之星消息,台基股份(300046)10月16日在投资者关系平台上答复投资者关心的问题。投资者:董秘您好,传统变压器基于电磁感应原理,依靠铁芯和铜线圈实现电压变换,存在体积、响应迟缓和功能单一等固有缺陷。而固态变压器采用半导体功率器件(如SiC ,IGBT, MOSFET)和高频磁技...

＞▂＜

数捷电气申请用于 IGBT 器件的对流与水冷联动散热专利,有效避免 ...金融界 2024 年 12 月 2 日消息,国家知识产权局信息显示,上海数捷电气有限公司申请一项名为“用于 IGBT 器件的对流与水冷联动散热方法和系统”的专利,公开号 CN 119050067 A,申请日期为 2024 年 10 月。专利摘要显示,本发明提供用于 IGBT 器件的对流与水冷联动散热方法和系统...

╯＾╰ 宏微科技签约瀚海聚能!国产IGBT功率器件首次进入可控核聚变核心...宏微科技与瀚海聚能(成都)科技有限公司正式签署战略合作协议,标志着国产IGBT功率半导体器件正式进入可控核聚变核心技术环节。此次合作将围绕背景磁场电源系统、形成区脉冲电源系统、加速区脉冲电源系统、对撞压缩区脉冲电源系统等多个关键领域展开深度技术协作。双方还...

（°ο°） 东微半导获得发明专利授权:“IGBT器件”证券之星消息,根据天眼查APP数据显示东微半导(688261)新获得一项发明专利授权,专利名为“IGBT器件”,专利申请号为CN202111561080.4,授权日为2024年12月24日。专利摘要:本发明属于半导体功率器件技术领域,具体公开了一种IGBT器件,n型半导体层内的若干个栅沟槽,位于栅沟...

∩０∩

北一半导体申请一种 IGBT 器件及其制作方法专利,大幅提升器件开关速度金融界 2024 年 11 月 22 日消息,国家知识产权局信息显示,北一半导体科技(广东)有限公司申请一项名为“一种 IGBT 器件及其制作方法”的专利,公开号 CN 118983335 A,申请日期为 2024 年 8 月。专利摘要显示,本发明提供了一种 IGBT 器件及其制作方法,涉及半导体芯片制造技术领域...

成都高投芯未申请一种IGBT器件制备方法及半导体器件专利,改善半...金融界2024年11月22日消息,国家知识产权局信息显示,成都高投芯未半导体有限公司申请一项名为“一种IGBT器件制备方法及半导体器件”的专利,公开号CN 118983218 A,申请日期为2024年8月。专利摘要显示,本发明提供了一种IGBT器件制备方法及半导体器件,涉及半导体制备工艺。...

深圳市冠禹半导体取得一种IGBT器件及其制造方法专利金融界2024年11月13日消息,国家知识产权局信息显示,深圳市冠禹半导体有限公司取得一项名为“一种IGBT器件及其制造方法”的专利,授权公告号 CN 118712218 B,申请日期为2024年8月。

∪ω∪

国电南自:公司有采购使用时代电气IGBT相关器件金融界7月22日消息,有投资者在互动平台向国电南自提问:国家能源局要求 “十四五”特大型工程核心器件国产化率超90%,时代电气作为换流阀和IGBT核心供应商与贵公司有哪些方面的合作?公司回答表示:尊敬的投资者,您好!公司有采购使用时代电气IGBT相关器件。感谢您对公司的关...

ˇ▂ˇ