p n是什么_p n是什么意思中文

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ˇ０ˇ 铭凡海外推出英特尔 N150 迷你主机 UN150P:单 2.5G 网口IT之家 1 月 26 日消息,铭凡在日本发布了一款新的迷你电脑主机 UN150P。这款产品预计 2025 年 2 月 5 日上市,提供两个版本可选:16GB 内存... 英特尔 N150 处理器采用四个 E 核(Gracemont),不支持超线程技术,最高频率 3.6GHz,TDP 仅有 6W(峰值 25W),三级缓存达到了 6MB,相比前一...

iQOO 15 手机参数曝光,明日发布并开售IT之家 10 月 19 日消息,iQOO 15 手机将于 10 月 20 日 19:00 发布并开售,博主 @数码闲聊站 现已曝光这款新机的主要参数。IT之家整理如下:屏幕:6.85 英寸 3168*1440p 2K+144Hz LEAD OLED 大 R 角直屏,8T LTPO,三星 M14 发光材料,手动全屏亮度 1000nit,标配 AR 抗反射膜性能:骁龙...

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●△● 正宇光伏申请新型选择性钝化接触电池结构及其制备方法专利,在 N 型...包括如下操作步骤:采用 N 型硅片抛光 5~10μm;背面 PECVD 法掺杂 P+‑poly;正面酸洗及抛光;正面 PECVD 法掺杂 N+‑poly;对正面非接触区激光开膜,去除表面的 mask 氧化层后进行 poly 去除清洗;再对正面激光开膜区激光开膜去除隧穿氧化层;对正面激光开膜区进行抛光后制绒;双面...

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扬杰科技获得实用新型专利授权:“具有改善P-well区电场集中的SiC...N+衬底层、N型缓冲层和N‑漂移层;所述N‑漂移层上设有:P‑Well区,从所述N‑漂移层的顶面向下延伸,靠近中部一侧呈一斜面;N+区,从所述P‑Well区的顶面向下延伸;P+区,从所述P‑Well区的顶面向下延伸,并与所述N+区连接;栅氧化层,设置在所述N‑漂移层的顶面,其底面分别与所述...

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＋▽＋ 雪天盐业获得发明专利授权:“一种杂元素掺杂碳包覆的聚阴离子正极...1+xP2O7@P‑N/C,其中,0≤x≤2,M为Ni、Fe、Co、Mn中的一种或多种,所述聚阴离子正极材料为核壳结构,Na3+xM2+x(PO4)1+xP2O7为所述聚阴离子正极材料的核壳结构的核心,@P‑N/C表示形成在核心材料表面的包覆层,P‑N/C为磷元素和氮元素共掺杂的碳包覆层。本发明杂元素...

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自动挡车的 +、- 号怎么用?修理工教你正确用法,很多人还不知道如今,自动挡汽车凭借操作简便的优势,成为众多车主的心头好。但你可曾留意过,自动挡车的挡位上除了常见的 P、R、N、D 挡,还有神秘的 “+”“-” 号,它们究竟有何用途?今天,咱们就跟着修理工,一探究竟。初次接触自动挡车 “+”“-” 号时,很多人都会一脸茫然。其实,这两个符号是...

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沐邦高科获得实用新型专利授权:“一种TOPCon电池”P+掺杂层,设于硅衬底的正面;隧穿氧化层,设于硅衬底的背面;N+掺杂层,设于隧穿氧化层远离硅衬底的一侧;N++重掺杂层,设于N+掺杂层中;以及电极组件,包括第一电极和第二电极,第一电极的一端设于硅衬底远离隧穿氧化层的一侧,第二电极的一端设于N++重掺杂层上;其中,所述N+掺杂层为...

株洲中车时代半导体申请SiC MOSFET结构及其制造方法专利,降低功耗所述Si C MOSFET结构的元胞包括:从下到上依次设置的N+衬底、N‑外延层、P肼区和N+区;延伸到N‑外延层内的至少1个沟槽,每个沟槽具有相对的侧壁和底部;位于N‑外延层内的所述沟槽的侧壁和底部具有P+注入区;所述沟槽内表面设置有栅氧层和栅极,所述栅极包括两部分,背离N‑...

荣耀 X60 GT 手机参数曝光:骁龙 8+Gen1 处理器,4 月 22 日首销IT之家 4 月 18 日消息,荣耀 X60 GT 手机将于 4 月 22 日首销,博主 @数码闲聊站 今日曝光了这款新机的主要参数:6.7 英寸 2664*1200p 1.5K+120Hz LTPS 直屏3840Hz PWM,5000nit 峰值亮度骁龙 8+Gen1 处理器5514mm² VC 散热6300mAh 电池 + 80W 快充50Mp OIS 主摄IP65,立体声...

●０● 宏微科技获得发明专利授权:“一种二极管及其制作方法”所述二极管包括N基体、有源区P+层和多个mos结构,N基体上形成有有源区P+层,有源区P+层内设有多个mos结构,有源区P+层上设有阳极金属,mos结构包括沟槽,沟槽内形成有栅氧化层和多晶硅,沟槽外设有与阳极金属电连接的N+层,沟槽上设有绝缘介质层以隔开多晶硅和阳极金属,当二...