igbt芯片用什么衬底

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扬杰科技获得发明专利授权:“一种低应力高导热的IGBT功率模块封装...专利名为“一种低应力高导热的IGBT功率模块封装结构”,专利申请号为CN202111501398.3,授权日为2025年7月18日。专利摘要:一种低应力高导热的IGBT功率模块封装结构。包括自下而上依次键合的基板、绝缘衬底基板和芯片;所述绝缘衬底基板包括自上而下依次键合的上金属层、...

天岳先进:随着碳化硅半导体材料在下游应用领域的持续渗透市场规模...投资者:贵公司作为国内碳化硅衬底核心供应商,是否与下游头部IGBT/SiC芯片厂商(如时代电气)签订长期供货协议?未来双方在提升国产碳化硅... 计划建立新的海外生产设施.”请问公司计划建立新的海外生产设施的计划和市场考量是什么?现在的进展如何?天岳先进董秘:尊敬的投资者,您...

天岳先进:全球前十大功率半导体企业超半数已成为公司客户金融界4月25日消息,有投资者在互动平台向天岳先进提问:贵公司作为国内碳化硅衬底核心供应商,是否与下游头部IGBT/SiC芯片厂商(如时代电气)签订长期供货协议?未来双方在提升国产碳化硅衬底渗透率方面有哪些合作规划?公司回答表示:随着碳化硅半导体材料在下游新能源汽车、光...