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什么是芯片漏电_什么是芯片漏电

时间:2025-06-20 23:20 阅读数:6246人阅读

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艾为电子取得一种功率管、电源开关芯片及漏电检测方法专利金融界2024年11月16日消息,国家知识产权局信息显示,上海艾为电子技术股份有限公司取得一项名为“一种功率管、电源开关芯片及漏电检测方法”的专利,授权公告号 CN 114545183 B ,申请日期为 2022年2月。

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南京优存科技取得非易失性存储芯片及其漏电流补偿电路专利,能够...金融界2024年12月2日消息,国家知识产权局信息显示,南京优存科技有限公司取得一项名为“非易失性存储芯片及其漏电流补偿电路”的专利,授权公告号 CN 222071552 U,申请日期为2023年12月。专利摘要显示,本公开提供了一种非易失性存储芯片及其漏电流补偿电路,非易失性存储芯...

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京东方申请一种发光基板专利,降低相邻发光芯片间漏电流避免发光串扰通过在相邻第一发光芯片的 N 型半导体层之间填充有阻隔结构,这样阻隔结构可以破坏原本共用 N 型半导体层时形成的 PNP 结构,可以大大降低相邻发光芯片之间的漏电流,从而避免相邻像素之间的发光串扰问题;并且,本公开通过在 N 型半导体层背离驱动背板的一侧设置透明导电层,透明...

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ˇ△ˇ 湖南蓝芯微电子申请降低漏电风险的高压发光二极管专利,降低漏电风险金融界2024年11月15日消息,国家知识产权局信息显示,湖南蓝芯微电子科技有限公司申请一项名为“降低漏电风险的高压发光二极管及其制备方法”的专利,公开号CN 118943254 A,申请日期为2024年7月。专利摘要显示,本发明涉及发光二极管芯片制备技术领域,具体涉及降低漏电风险...

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华为申请静电保护电路及静电保护方法专利,解决了静电保护电路漏电...涉及芯片技术领域,解决了静电保护电路的漏电流大和电路面积大的问题。具体方案为:静电保护电路中的分压电路的第一端和电源输出端耦合,分压电路的第二端接地,分压电路包括第一分压输出端,第一分压输出端和第级静电泄放电路的第一电源端耦合,静电检测电路的第一端和电源输出...

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?ω? 瑞芯微电子申请芯片系统级测试专利,能有效简化芯片系统级测试的...瑞芯微电子股份有限公司申请一项名为“芯片系统级测试装置”的专利,公开号CN 119044725 A,申请日期为2024年8月。专利摘要显示,本发明公开了芯片系统级测试装置。该装置包括:电源模块,被配置为基于测试指令对待测芯片进行供电,并且检测所述待测芯片的电源引脚的漏电流;开...

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苹果向台积电订购M5芯片 生产可能在2025年下半年开始特别是通过采用台积电的集成芯片系统(SOIC)技术。与传统的2D设计相比,这种3D芯片堆叠方法增强了散热管理并减少了漏电。据称,苹果扩大了与台积电在下一代混合SOIC封装方面的合作,该封装也结合了热塑性碳纤维复合材料成型技术。据报道,该套装在7月份进入了小规模试生产阶...

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首批山东省首件套电子产品拟认定名单公示,枣庄市3件电子产品上榜有限公司“XRF核心探测部件”“高灵敏度低漏电PD阵列探测器芯片”和山东精工电子科技股份有限公司“E-Call系统用锂电池”3件产品全部上榜。拟认定的首批山东省首件套电子产品名单(枣庄市)首件套电子产品是指企业通过自主技术创新首次研制成功,在规格、性能、技术参数等...

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成都海光申请去耦合电容标准单元的插入方法装置设备及存储介质专利...涉及芯片技术领域,方法包括:获取物理设计模块的空白区域,以及获取各去耦合电容标准单元的稳压能力参数和漏电流影响参数;根据空白区域内不同位置的动态压降情况,将空白区域划分为多个子区域;根据各去耦合电容标准单元的稳压能力参数和漏电流影响参数,从各去耦合电容标准单元...

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